2014年12月8日，诺贝尔奖纪念演讲在瑞典斯德哥尔摩大学举行，在获得物理学奖的3人中，中村修二最后登台。他在演讲中回顾了蓝色LED的研究过程，强调了在高亮度化中不可缺少的InGaN的重要性。此外，他还介绍了目前重点推进的研究——使用激光器的照明。
　　在演讲中，中村说他“在基于GaN的蓝色LED领域是新人”，但他获得的成果已赶上并超越了赤崎与天野的研究小组率先得出的各种数据。其原动力就是“双流MOCVD”。
　　InGaN不可或缺
　　中村使用双流MOCVD装置实现了基于InGaN的双异质结结构，实现了蓝色LED的高亮度化，从而推动了实用化进程。
　　以前业内普遍认为，不将GaN晶体内被称为“位错”的晶体缺陷减至103个/cm2，就不会发出明亮的光，但使用InGaN后，即使这一缺陷多达109个/cm2，也能实现高亮度发光。正是InGaN的这种特性推动了蓝色LED及其之后的蓝紫色半导体激光器的实现。
　　那么，为何InGaN在晶体缺陷多的情况下仍可发光呢?在介绍其原理时，中村引用日本东北大学教授秩父重英的研究成果称，“与In的局域化效应有关”。
　　激光器将取代LED
　　中村在回顾蓝色LED的研究后，介绍了目前正在着力研究的利用半导体激光器的照明。蓝色LED存在“光效下降(Droop)”问题，越是高亮度，就越难提高效率。而激光器不存在这一问题，“与LED照明相比，激光照明可实现非常高的效率”(中村)。因此中村预计，激光照明将来会取代LED照明。
　　最后，中村特意抽出时间发表了致谢，感谢日亚化学工业创始人、同意开发蓝色LED并为此提供支持的小川信雄。并且，中村还向延续小川信雄足跡的现任社长小川英治，以及包括当时的部下在内的日亚化学工业的全体员工表达了谢意。另外，中村还向加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校(UCSB)的同事们表示了谢意。